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MOSFET・モスフェット
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 4.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
RS品番:
543-1320P
メーカー型番:
IRF7452PBF
メーカー/ブランド名:
Infineon
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RS品番:
543-1320P
メーカー型番:
IRF7452PBF
メーカー/ブランド名:
Infineon
データシート
その他
詳細情報
仕様
IRF7452PBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
Infineon IRF7452 は、 100 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET で、 SO-8 パッケージに収容されています。
非常に特徴的なアバランシェ電圧と電流
ゲートからドレインへの電荷量が低いため、スイッチング損失を低減します
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
4.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧
100 V
シリーズ
HEXFET
パッケージタイプ
SOIC
実装タイプ
表面実装
ピン数
8
最大ドレイン-ソース間抵抗
60 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
5.5V
最低ゲートしきい値電圧
3V
最大パワー消費
2.5 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-30 V, +30 V
トランジスタ素材
Si
1チップ当たりのエレメント数
1
幅
4mm
動作温度 Max
+150 °C
長さ
5mm
標準ゲートチャージ @ Vgs
33 nC @ 10 V
高さ
1.5mm
動作温度 Min
-55 °C