Infineon MOSFETトランジスタ, Nチャンネル, 8.3 A, 表面実装, 8 ピン, IRF7807D2PBF
- RS品番:
- 543-1960
- メーカー型番:
- IRF7807D2PBF
- メーカー/ブランド名:
- International Rectifier
取扱終了
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- RS品番:
- 543-1960
- メーカー型番:
- IRF7807D2PBF
- メーカー/ブランド名:
- International Rectifier
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | International Rectifier | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 8.3 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 25 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大パワー消費 | 2500 mW | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -12 V, +12 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 幅 | 4mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 12 nC @ 5 V | |
| 長さ | 5mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 1.5mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド International Rectifier | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 8.3 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 30 V | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 25 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大パワー消費 2500 mW | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -12 V, +12 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
幅 4mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 12 nC @ 5 V | ||
長さ 5mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 1.5mm | ||
FETKY™ IRF73xx / IRF74xx / IRF75xx / IRF78xx、Infineon
HEXFETとショットキーダイオードを1つのパッケージに収容
同期レギュレータ用途に最適
低VFショットキー整流器
大幅な基板スペースの節約
設計時間を短縮し、アセンブリ及びインベントリコストを削減
同期レギュレータ用途に最適
低VFショットキー整流器
大幅な基板スペースの節約
設計時間を短縮し、アセンブリ及びインベントリコストを削減
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。