Infineon MOSFETトランジスタ, N, Pチャンネル, 3 A, 6.3 A, 表面実装, 8 ピン, IRF7338PBF

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RS品番:
543-2064
メーカー型番:
IRF7338PBF
メーカー/ブランド名:
International Rectifier
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ブランド

International Rectifier

チャンネルタイプ

N, P

最大連続ドレイン電流

3 A, 6.3 A

最大ドレイン-ソース間電圧

12 V

パッケージタイプ

SOIC

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

34 mΩ, 150 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大パワー消費

2 W

最大ゲート-ソース間電圧

-12 V、-8 V、+12 V、+8 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

6.6 nC @ 4.5 V、8.6 nC @ 4.5 V

4mm

1チップ当たりのエレメント数

2

長さ

5mm

動作温度 Max

+150 °C

動作温度 Min

-55 °C

高さ

1.5mm

COO(原産国):
MY

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon


InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET®デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。