ルネサス エレクトロニクス MOSFET, Nチャンネル, 82 A, 表面実装, 3 ピン, NP82N055PUG-E2-AZ

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RS品番:
641-6079
メーカー型番:
NP82N055PUG-E2-AZ
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
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ブランド

ルネサス エレクトロニクス

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

82 A

最大ドレイン-ソース間電圧

55 V

パッケージタイプ

D2PAK (TO-263)

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

5 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4V

最大パワー消費

1.8 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

1チップ当たりのエレメント数

1

長さ

10mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

106 nC @ 10 V

トランジスタ素材

Si

幅

9.15mm

動作温度 Max

+175 °C

動作温度 Min

-55 °C

高さ

4.45mm

COO（原産国）:
JP

Nチャンネル低電圧MOSFET、最大140V、ルネサスエレクトロニクス



MOSFETトランジスタ、ルネサスエレクトロニクス(NEC)

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