Renesas Electronics Nチャンネル MOSFET55 V 82 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 641-6079
- メーカー型番:
- NP82N055PUG-E2-AZ
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
MOSFET の一覧へ
15 国内在庫あり - 通常1営業日でお届け
単価： 購入単位は5個
￥348.40
(税抜)
￥383.24
(税込)
| 個 | 単価 | 1袋あたりの価格* |
| 5 - 20 | ￥348.40 | ￥1,742.00 |
| 25 - 45 | ￥337.80 | ￥1,689.00 |
| 50 - 245 | ￥327.40 | ￥1,637.00 |
| 250 - 495 | ￥320.40 | ￥1,602.00 |
| 500 + | ￥313.40 | ￥1,567.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 641-6079
- メーカー型番:
- NP82N055PUG-E2-AZ
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
その他
詳細情報
Nチャンネル低電圧MOSFET、最大140V、ルネサスエレクトロニクス
仕様
| 特性 | Value |
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 82 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 55 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 5 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最大パワー消費 | 1.8 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 幅 | 9.15mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 10mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 高さ | 4.45mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |