Infineon MOSFETトランジスタ, Pチャンネル, 4.6 A, 表面実装, 8 ピン, IRF7704PBF
- RS品番:
- 650-4019
- メーカー型番:
- IRF7704PBF
- メーカー/ブランド名:
- International Rectifier
取扱終了
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- RS品番:
- 650-4019
- メーカー型番:
- IRF7704PBF
- メーカー/ブランド名:
- International Rectifier
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | International Rectifier | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 4.6 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージタイプ | TSSOP | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 46 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大パワー消費 | 1500 mW | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 幅 | 4.4mm | |
| 長さ | 3mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 1mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド International Rectifier | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 4.6 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 40 V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージタイプ TSSOP | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 46 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大パワー消費 1500 mW | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
幅 4.4mm | ||
長さ 3mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 25 nC @ 4.5 V | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 1mm | ||
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V
InfinionのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。