onsemi MOSFET, タイプN, タイプPチャンネル, コモンドレイン, 40 V, 9 A, 54 mΩ, 5ピン, パッケージ：TO-252

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梱包形態
RS品番:
671-0356
メーカー型番:
FDD8424H
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

PowerTrench

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

54mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20, -20V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

コモンドレイン

長さ

6.73mm

幅

6.22mm

高さ

2.39mm

1チップ当たりのエレメント数

2

Fairchild Semiconductor PowerTrench®デュアルN/PチャンネルMOSFET


PowerTrench® MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷（Qg）、低逆回復電荷（Qrr）、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。

最新のPowerTrench® MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を採用しています。この高度なテクノロジーを活用することで、これらのデバイスのFOM (Figure of Merit)は、前世代よりも大幅に低くなっています。

PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバ回路の除去、または高電圧定格MOSFETを置き換えることができます。

MOSFETトランジスタ、ONセミ


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ONセミMOSFETは、電圧スパイクやオーバーショットの低減、ジャンクション静電容量の低減、逆回復電荷の低減、システムを長時間動作させるための追加の外部コンポーネントの排除など、優れた設計信頼性を実現します。

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