onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 31 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, FQB34N20LTM
- RS品番:
- 671-0898
- メーカー型番:
- FQB34N20LTM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
取扱終了
在庫限りでお取扱いは終了致します。
- RS品番:
- 671-0898
- メーカー型番:
- FQB34N20LTM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 31A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| シリーズ | QFET | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 75mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 3.13W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 55nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 幅 | 9.65 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 31A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
シリーズ QFET | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 75mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 3.13W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 55nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 10.67mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 4.83mm | ||
幅 9.65 mm | ||
自動車規格 なし | ||
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
QFET® NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor製の新しいQFET®平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。
これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET®プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。