onsemi MOSFET, Nチャンネル, 200 V, 31 A, 75 mΩ, 55 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263

RS品番:: 671-0898
メーカー型番:: FQB34N20LTM
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 200 V, 31 A, 75 mΩ, 55 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263

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RS品番:: 671-0898
メーカー型番:: FQB34N20LTM
メーカー/ブランド名:: onsemi

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)	200 V
	最大連続ドレイン電流(Id)	31 A
	最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)	75 mΩ
	標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs	55 nC
	ピン数	3
	パッケージ型式	TO-263
	自動車規格	なし
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 (Vf)	1.5 V
	高さ	4.83 mm
	長さ	10.67 mm
	最大ゲートソース電圧(Vgs)	-20 V, +20 V
	動作温度 (Max)	150 °C
	最大許容損失(Pd)	3.13 W
	動作温度 (Min)	-55 °C
	取付タイプ	表面
	シリーズ	QFET
	規格 / 承認	No
	幅	9.65 mm

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 200 V
	最大連続ドレイン電流(Id) 31 A
	最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 75 mΩ
	標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 55 nC
	ピン数 3
	パッケージ型式 TO-263
	自動車規格なし
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 (Vf) 1.5 V
	高さ 4.83 mm
	長さ 10.67 mm
	最大ゲートソース電圧(Vgs) -20 V, +20 V
	動作温度 (Max) 150 °C
	最大許容損失(Pd) 3.13 W
	動作温度 (Min) -55 °C
	取付タイプ表面
	シリーズ QFET
	規格 / 承認 No
	幅 9.65 mm

QFET® NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor製の新しいQFET®平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。

これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET®プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi

ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 200 V, 31 A, 75 mΩ, 55 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263

QFET® NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor

MOSFET トランジスタ、 ON Semi

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