仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	500 mA
	最大ドレイン-ソース間電圧	60 V
	パッケージタイプ	TO-92
	実装タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗	5 Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	3V
	最低ゲートしきい値電圧	0.8V
	最大パワー消費	830 mW
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	-20 V, +20 V
	トランジスタ素材	Si
	動作温度 Max	+150 °C
	幅	4.19mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	長さ	5.2mm
	動作温度 Min	-55 °C
	高さ	5.33mm

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 500 mA
	最大ドレイン-ソース間電圧 60 V
	パッケージタイプ TO-92
	実装タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗 5 Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 3V
	最低ゲートしきい値電圧 0.8V
	最大パワー消費 830 mW
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V
	トランジスタ素材 Si
	動作温度 Max +150 °C
	幅 4.19mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	長さ 5.2mm
	動作温度 Min -55 °C
	高さ 5.33mm

Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET

強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi

ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

個	単価	購入単位毎合計*
10 - 40	￥32.00	￥320
50 - 440	￥28.30	￥283
450 - 590	￥24.00	￥240
600 - 790	￥20.30	￥203
800 +	￥16.00	￥160

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 500 mA, スルーホール, 3 ピン, BS170

￥3,000円を超える注文については、送料無料

Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ