onsemi MOSFET, Nチャンネル, 20 A, スルーホール, 3 ピン, FQP20N06

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RS品番:
671-5051
メーカー型番:
FQP20N06
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

20 A

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

シリーズ

QFET

パッケージタイプ

TO-220AB

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

60 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

2V

最大パワー消費

53000 mW

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-25 V, +25 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

11.5 nC @ 10 V

4.7mm

トランジスタ素材

Si

動作温度 Max

+175 °C

長さ

10.1mm

1チップ当たりのエレメント数

1

動作温度 Min

-55 °C

高さ

9.4mm

COO(原産国):
MY

QFET® NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor製の新しいQFET®平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。
これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET®プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。


MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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