onsemi MOSFET, タイプNチャンネル, 20 A, スルーホール 60 V, 3-Pin エンハンスメント型, FQP20N06 パッケージTO-220

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥1,210.00

(税抜)

¥1,331.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 5 は海外在庫あり(最終在庫)
単価
購入単位毎合計*
5 - 5¥242.00¥1,210
10 +¥241.00¥1,205

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
671-5051
メーカー型番:
FQP20N06
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

QFET

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11.5nC

最大許容損失Pd

53W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

175°C

高さ

9.4mm

長さ

10.1mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

Fairchild Semiconductor QFET® NチャンネルMOSFET、11 → 30 A


FairFairchild Semiconductorの新しいQFET®プラナーMOSFETは、高度な独自技術を採用し、電源、PFC (パワーファクタ補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、照明バラスト、モーション制御など、幅広い用途に最高の動作性能を発揮します。

オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。Fairchildは、Advanced QFET®プロセス技術を使用することで、競合するプラナールMOSFETデバイスよりも優れたメリット数値(FOM)を提供できます。

MOSFETトランジスタ、ONセミ


><

ONセミMOSFETは、電圧スパイクやオーバーショットの低減、ジャンクション静電容量の低減、逆回復電荷の低減、システムを長時間動作させるための追加の外部コンポーネントの排除など、優れた設計信頼性を実現します。

関連ページ