Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 190 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IRF1404ZPBF

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梱包形態
RS品番:
688-6813
メーカー型番:
IRF1404ZPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

190A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

220W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

100nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

4.69 mm

高さ

8.77mm

規格 / 承認

No

長さ

10.54mm

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流180A、最大ドレインソース電圧40V - IRF1404ZPBF


このMOSFETは、自動車および産業分野のさまざまな用途向けに設計された高性能パワー・コンポーネントです。180Aの強力な連続ドレイン電流と40Vの最大ドレイン・ソース間電圧により、過酷な環境でも優れた性能を発揮します。TO-220ABパッケージタイプは実装が容易で、電子回路やシステムに効率的に組み込むことができます。

特徴と利点


• 効率を高めるHEXFET技術を採用

• スイッチングを最適化するエンハンスメント・モード用に設計

• 全体的な効率を高める高速スイッチング速度を提供

• 信頼性を高めるために雪崩を繰り返すことが可能

用途


• モーター制御回路に最適

• 電源やコンバーターに使用

• 自動車用

• 様々な産業オートメーションシステムに適合

• パワーマネージメントとスイッチングに効果的

低オン抵抗は、私のアプリケーションにどのようなメリットをもたらしますか?


2.7mΩという低いオン抵抗は伝導損失を低減し、電力変換およびエネルギー管理システムの全体的な効率を向上させる。

デバイスが最高使用温度を超えるとどうなりますか?


最大動作温度+175℃を超えると性能低下や故障の可能性があり、適切な熱管理の必要性が強調される。

並列構成で使用できますか?


はい、並列構成で使用する場合、過熱を避け、性能を最大化するために、デバイス間の電流共有のバランスをとることが極めて重要です。

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