インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 130 A, スルーホール, 3 ピン, IRFP4668PBF

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梱包形態
RS品番:
688-7027
メーカー型番:
IRFP4668PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

130 A

最大ドレイン-ソース間電圧

200 V

パッケージタイプ

TO-247AC

シリーズ

HEXFET

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

10 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

5V

最低ゲートしきい値電圧

3V

最大パワー消費

520 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-30 V, +30 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

161 nC @ 10 V

トランジスタ素材

Si

1チップ当たりのエレメント数

1

動作温度 Max

+175 °C

幅

5.31mm

長さ

15.87mm

動作温度 Min

-55 °C

高さ

20.7mm

順方向ダイオード電圧

1.3V

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流130A、最大ドレインソース電圧200V - IRFP4668PBF


このMOSFETは、さまざまなアプリケーションで効率的な電力管理を行うために設計された高性能Nチャネル・デバイスです。外形寸法は長さ15.87mm、幅5.31mm、高さ20.7mmで、TO-247ACパッケージに収められている。最大連続ドレイン電流130A、最大ドレイン・ソース間電圧200Vという堅牢な仕様で、要求の厳しい電気アプリケーションに最適です。

特徴と利点


• ボディ・ダイオードの強化によりスイッチング性能が向上
• 10mΩの低Rds(on)で電力損失を最小化
• 同期整流回路の高効率化
• ダイナミックなdV/dt条件下での耐久性が向上
• 信頼性のためのアバランシェおよび熱性能の完全特性化

用途


• 高速電力スイッチングに使用
• 無停電電源装置に最適
• ハードスイッチ回路や高周波回路に最適
• 様々なオートメーションおよび産業用電力システムに適用可能

安全運転のための温度定格は？


最大消費電力は25℃で定格520Wであり、安全な動作を保証するためにジャンクション温度は175℃を超えないこと。

ゲートしきい値電圧は機能にどのような影響を与えますか？


ゲートしきい値電圧は3Vから5Vの範囲で、パワー・アプリケーションで信頼性の高い性能を発揮するために重要なスイッチング動作中の効率的な制御を容易にします。

このMOSFETは高パルス電流負荷に対応できますか？


そう、最大520Aのパルスドレイン電流に対応しており、大電流処理能力を必要とするヘビーデューティー・アプリケーションに適している。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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