Toshiba Nチャンネル MOSFET20 V 180 mA 表面実装 パッケージSSM 3 ピン
- RS品番:
- 695-4770
- メーカー型番:
- SSM3K35FS(TE85L,F)
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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- RS品番:
- 695-4770
- メーカー型番:
- SSM3K35FS(TE85L,F)
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 180 mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 20 V | |
| パッケージタイプ | SSM | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 20 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 1V | |
| 最大パワー消費 | 100 mW | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -10 V, +10 V | |
| 長さ | 1.6mm | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 幅 | 0.8mm | |
| 高さ | 0.7mm | |
| シリーズ | SSM3 | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 180 mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 20 V | ||
パッケージタイプ SSM | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 20 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 1V | ||
最大パワー消費 100 mW | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -10 V, +10 V | ||
長さ 1.6mm | ||
トランジスタ素材 Si | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
幅 0.8mm | ||
高さ 0.7mm | ||
シリーズ SSM3 | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
- COO（原産国）:
- JP
東芝 SSM3Kシリーズ MOSFET Nチャンネル
MOSFETトランジスタ、東芝