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ディスクリート・ディスクリート半導体
MOSFET・モスフェット
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
RS品番:
725-9313P
メーカー型番:
IRLB3813PBF
メーカー/ブランド名:
Infineon
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RS品番:
725-9313P
メーカー型番:
IRLB3813PBF
メーカー/ブランド名:
Infineon
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
260 A
最大ドレイン-ソース間電圧
30 V
パッケージタイプ
TO-220AB
シリーズ
HEXFET
実装タイプ
スルーホール
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
2 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
2.35V
最低ゲートしきい値電圧
1.35V
最大パワー消費
230 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs
57 nC @ 4.5 V
長さ
10.67mm
動作温度 Max
+175 °C
幅
4.83mm
1チップ当たりのエレメント数
1
トランジスタ素材
Si
高さ
9.02mm
動作温度 Min
-55 °C