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    Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン

    RS品番:
    737-7225
    メーカー型番:
    IRLML6344TRPBF
    メーカー/ブランド名:
    Infineon
    Infineon
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    価格

    ¥49.90

    (税抜)

    ¥54.89

    (税込)

    単価1袋あたりの価格*
    20 - 740¥49.90¥998.00
    760 - 1480¥48.40¥968.00
    1500 +¥46.85¥937.00
    * 購入単位ごとの価格
    梱包形態
    RS品番:
    737-7225
    メーカー型番:
    IRLML6344TRPBF
    メーカー/ブランド名:
    Infineon

    その他


    詳細情報

    NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon


    InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。


    MOSFETトランジスタ、Infineon


    Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

    仕様

    特性Value
    チャンネルタイプN
    最大連続ドレイン電流5 A
    最大ドレイン-ソース間電圧30 V
    パッケージタイプSOT-23
    実装タイプ表面実装
    ピン数3
    最大ドレイン-ソース間抵抗37 mΩ
    チャンネルモードエンハンスメント型
    最大ゲートしきい値電圧1.1V
    最低ゲートしきい値電圧0.5V
    最大パワー消費1.3 W
    トランジスタ構成シングル
    最大ゲート-ソース間電圧-12 V, +12 V
    1チップ当たりのエレメント数1
    長さ3.04mm
    1.4mm
    動作温度 Max+150 °C
    標準ゲートチャージ @ Vgs6.8 nC @ 4.5 V
    トランジスタ素材Si
    シリーズHEXFET
    高さ1.02mm
    動作温度 Min-55 °C
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    20 - 740¥49.90¥998.00
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