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    Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン

    Infineon
    RS品番:
    737-7225
    メーカー型番:
    IRLML6344TRPBF
    メーカー/ブランド名:
    Infineon
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    単価: 購入単位は20個

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    (税抜)

    ¥64.68

    (税込)

    単価購入単位毎合計*
    20 - 120¥58.80¥1,176.00
    140 - 1380¥57.10¥1,142.00
    1400 - 1780¥36.90¥738.00
    1800 - 2380¥26.80¥536.00
    2400 +¥16.65¥333.00
    * 購入単位ごとの価格
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    737-7225
    メーカー型番:
    IRLML6344TRPBF
    メーカー/ブランド名:
    Infineon

    データシート


    その他


    詳細情報

    NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon


    InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

    受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



    MOSFETトランジスタ、Infineon


    Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

    仕様

    特性
    チャンネルタイプN
    最大連続ドレイン電流5 A
    最大ドレイン-ソース間電圧30 V
    パッケージタイプSOT-23
    実装タイプ表面実装
    ピン数3
    最大ドレイン-ソース間抵抗37 mΩ
    チャンネルモードエンハンスメント型
    最大ゲートしきい値電圧1.1V
    最低ゲートしきい値電圧0.5V
    最大パワー消費1.3 W
    トランジスタ構成シングル
    最大ゲート-ソース間電圧-12 V, +12 V
    長さ3.04mm
    1チップ当たりのエレメント数1
    標準ゲートチャージ @ Vgs6.8 nC @ 4.5 V
    動作温度 Max+150 °C
    トランジスタ素材Si
    1.4mm
    シリーズHEXFET
    高さ1.02mm
    動作温度 Min-55 °C
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    (税抜)

    ¥64.68

    (税込)

    単価購入単位毎合計*
    20 - 120¥58.80¥1,176.00
    140 - 1380¥57.10¥1,142.00
    1400 - 1780¥36.90¥738.00
    1800 - 2380¥26.80¥536.00
    2400 +¥16.65¥333.00
    * 購入単位ごとの価格
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