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ディスクリート・ディスクリート半導体
MOSFET・モスフェット
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 180 A 表面実装 パッケージD2PAK-7 7 ピン
RS品番:
754-5412P
メーカー型番:
IPB017N06N3GATMA1
メーカー/ブランド名:
Infineon
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単価: (プロダクションパッケージ:リールカット) 150個以上で出荷する場合、前後にリーダーとトレイラーが付き、リールに巻き直します。
¥567.00
(税抜)
¥623.70
(税込)
個
単価
30 - 299
¥567.00
300 - 399
¥442.00
400 - 799
¥380.00
800 +
¥317.00
梱包形態
個包装
プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
754-5412P
メーカー型番:
IPB017N06N3GATMA1
メーカー/ブランド名:
Infineon
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
Infineon OptiMOS ™ 3 パワー MOSFET 、 60 ~ 80V
OptiMOS ™製品は、最も過酷な用途に応える高性能パッケージで提供されており、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon製品は、コンピューティングアプリケーションにおける先進的な次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、そして、上回るように設計されています。
SMPS 用の高速スイッチング MOSFET
DC/DCコンバータ用に最適化された技術
対象用途に対してJEDEC1に適合
Nチャンネル・ロジックレベル
優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)
超低オン抵抗 R DS(on)
鉛フリーめっき
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
180 A
最大ドレイン-ソース間電圧
60 V
シリーズ
OptiMOS™ 3
パッケージタイプ
D2PAK-7
実装タイプ
表面実装
ピン数
7
最大ドレイン-ソース間抵抗
1.7 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
4V
最低ゲートしきい値電圧
2V
最大パワー消費
250W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
幅
9.45mm
長さ
10.31mm
動作温度 Max
+175 °C
1チップ当たりのエレメント数
1
標準ゲートチャージ @ Vgs
206 nC @ 10 V
トランジスタ素材
Si
高さ
4.57mm
動作温度 Min
-55 °C