STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 120 A, 3 mΩ, 183 nC, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 760-9673P
- メーカー型番:
- STP260N6F6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示5個小計 (スティック詰め)*
￥4,770
(税抜)
￥5,247
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 23 は海外在庫あり（最終在庫）
個 | 単価 |
|---|---|
| 5 - 9 | ￥954 |
| 10 - 24 | ￥842 |
| 25 - 49 | ￥742 |
| 50 + | ￥640 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 760-9673P
- メーカー型番:
- STP260N6F6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 120A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | DeepGate, STripFET | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 300W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 183nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4.6mm | |
| 高さ | 15.75mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 120A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ DeepGate, STripFET | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 300W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 183nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4.6mm | ||
高さ 15.75mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルSTripFET™ DeepGate™、STMicroelectronics
広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。