Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 185 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, TP0610K-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計：*

￥709.00

(税抜)

￥780.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 240 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
20 - 480￥35.45￥709
500 - 4980￥31.30￥626
5000 - 9980￥27.15￥543
10000 - 19980￥23.00￥460
20000 +￥18.80￥376

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
787-9018
メーカー型番:
TP0610K-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

185mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

TP0610K

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.7nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.4V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

350mW

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3.04mm

幅

1.4 mm

高さ

1.02mm

自動車規格

なし

ハロゲンフリー

定義

TrenchFET®パワーMOSFET

ハイサイドスイッチング

低オン抵抗: 6 Ω

低閾値: -2 V (標準)

高速スイッチング速度: 20 ns (標準)

低入力静電容量: 20 pF (標準)

2000 V ESD保護

用途

ドライバ: リレー、ソレノイド、ランプ、ハンマー、ディスプレイ、

メモリ、トランジスタなど

バッテリ駆動システム

電源変換回路

ソリッドステートリレー

特長

簡単な作動スイッチ

低オフセット(エラー)電圧

低電圧動作

高速回路

バッファなしで容易に駆動可能

関連ページ