Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 185 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, TP0610K-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9018
メーカー型番:
TP0610K-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

185mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

TP0610K

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.4V

最大許容損失Pd

350mW

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.7nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.02mm

長さ

3.04mm

自動車規格

なし

ハロゲンフリー

定義

TrenchFET®パワーMOSFET

ハイサイドスイッチング

低オン抵抗: 6 Ω

低閾値: -2 V (標準)

高速スイッチング速度: 20 ns (標準)

低入力静電容量: 20 pF (標準)

2000 V ESD保護

用途

ドライバ: リレー、ソレノイド、ランプ、ハンマー、ディスプレイ、

メモリ、トランジスタなど

バッテリ駆動システム

電源変換回路

ソリッドステートリレー

特長

簡単な作動スイッチ

低オフセット(エラー)電圧

低電圧動作

高速回路

バッファなしで容易に駆動可能

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