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ディスクリート・ディスクリート半導体
MOSFET・モスフェット
IXYS Nチャンネル MOSFET200 V 70 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
RS品番:
801-1392P
メーカー型番:
IXFH70N20Q3
メーカー/ブランド名:
IXYS
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7 - 13
¥2,040.00
14 - 18
¥1,870.00
19 - 24
¥1,610.00
25 +
¥1,560.00
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プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
801-1392P
メーカー型番:
IXFH70N20Q3
メーカー/ブランド名:
IXYS
データシート
その他
詳細情報
仕様
IXFT70N20Q3, IXFH70N20Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ
IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
高速真性整流器
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
70 A
最大ドレイン-ソース間電圧
200 V
シリーズ
HiperFET, Q3-Class
パッケージタイプ
TO-247
実装タイプ
スルーホール
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
40 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
6.5V
最大パワー消費
690 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
長さ
16.26mm
標準ゲートチャージ @ Vgs
67 nC @ 10 V
幅
5.3mm
動作温度 Max
+150 °C
1チップ当たりのエレメント数
1
トランジスタ素材
Si
動作温度 Min
-55 °C
高さ
16.26mm