IXYS MOSFET, Nチャンネル, 112 A, スクリュー マウント, 4 ピン, IXFN132N50P3

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RS品番:
804-7599
メーカー型番:
IXFN132N50P3
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

112 A

最大ドレイン-ソース間電圧

500 V

シリーズ

HiperFET, Polar3

パッケージタイプ

SOT-227

実装タイプ

スクリュー マウント

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗

39 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

5V

最大パワー消費

1.5 kW

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-30 V, +30 V

1チップ当たりのエレメント数

1

標準ゲートチャージ @ Vgs

250 nC @ 10 V

長さ

38.23mm

トランジスタ素材

Si

動作温度 Max

+150 °C

25.07mm

高さ

9.6mm

動作温度 Min

-55 °C

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