onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.1 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- RS品番:
- 808-0130
- メーカー型番:
- MGSF1N03LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 100 - 600 | ￥43.94 | ￥4,394.00 |
| 700 - 1300 | ￥42.66 | ￥4,266.00 |
| 1400 - 1800 | ￥33.77 | ￥3,377.00 |
| 1900 - 2400 | ￥29.33 | ￥2,933.00 |
| 2500 + | ￥24.89 | ￥2,489.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 808-0130
- メーカー型番:
- MGSF1N03LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 2.1 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
| パッケージタイプ | SOT-23 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 145 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.4V |
| 最大パワー消費 | 690 mW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 幅 | 1.4mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| 長さ | 3.04mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 1.01mm |
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