onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 2.8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, FQD5N60CTM

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RS品番:
808-9014
メーカー型番:
FQD5N60CTM
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

QFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

49W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.4V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

動作温度 Max

150°C

長さ

6.73mm

規格 / 承認

No

高さ

2.39mm

幅

6.22 mm

自動車規格

なし

QFET® NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor製の新しいQFET®平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。

これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET®プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

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