Vishay Nチャンネル MOSFET30 V 6 A 表面実装 パッケージPowerPAK ChipFET 8 ピン
- RS品番:
- 818-1356
- メーカー型番:
- SI5936DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 818-1356
- メーカー型番:
- SI5936DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 6 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V | |
| パッケージタイプ | PowerPAK ChipFET | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 40 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1.2V | |
| 最大パワー消費 | 10.4 W | |
| トランジスタ構成 | 絶縁型 | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| 長さ | 3.08mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 幅 | 1.98mm | |
| 高さ | 0.85mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 6 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 30 V | ||
パッケージタイプ PowerPAK ChipFET | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 40 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最低ゲートしきい値電圧 1.2V | ||
最大パワー消費 10.4 W | ||
トランジスタ構成 絶縁型 | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 7 nC @ 10 V | ||
長さ 3.08mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
トランジスタ素材 Si | ||
幅 1.98mm | ||
高さ 0.85mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
- COO（原産国）:
- CN
デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor