Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 5.2 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223, IRFL4105TRPBF

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RS品番:
827-3994
メーカー型番:
IRFL4105TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

5.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

23nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

2.1W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.7mm

高さ

1.8mm

幅

3.7 mm

Distrelec Product Id

304-44-458

自動車規格

なし

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V


インフィニオンのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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