インフィニオン デュアルゲートMOSFET, Nチャンネル, 25 mA, 表面実装, 6 ピン, BG3130H6327XTSA1
- RS品番:
- 857-8472
- メーカー型番:
- BG3130H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 857-8472
- メーカー型番:
- BG3130H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 25 mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 8 V | |
| パッケージタイプ | SOT-363 (SC-88) | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 6 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.6V | |
| 最大パワー消費 | 200 mW | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | +6 V | |
| 長さ | 2mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 幅 | 1.25mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 高さ | 0.8mm | |
| 標準パワーゲイン | 31 dB | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 25 mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 8 V | ||
パッケージタイプ SOT-363 (SC-88) | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 6 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最低ゲートしきい値電圧 0.6V | ||
最大パワー消費 200 mW | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 +6 V | ||
長さ 2mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
トランジスタ素材 Si | ||
幅 1.25mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
高さ 0.8mm | ||
標準パワーゲイン 31 dB | ||
InfineonデュアルゲートMOSFET 4極管
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MOSFETトランジスタ、Infineon
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