onsemi MOSFET, Pチャンネル, 12 A, 表面実装, 6 ピン, FDMA908PZ

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RS品番:
864-8183
メーカー型番:
FDMA908PZ
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

P

最大連続ドレイン電流

12 A

最大ドレイン-ソース間電圧

12 V

パッケージタイプ

MicroFET 2 x 2

シリーズ

PowerTrench

実装タイプ

表面実装

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗

16 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

0.4V

最大パワー消費

2.4 W, 900 mW

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-8 V, +8 V

動作温度 Max

+150 °C

標準ゲートチャージ @ Vgs

24 nC @ 4.5 V

長さ

2.05mm

1チップ当たりのエレメント数

1

トランジスタ素材

Si

幅

2.05mm

動作温度 Min

-55 °C

高さ

0.775mm

PowerTrench® PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。
最新のPowerTrench® MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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