onsemi MOSFET, N, Pチャンネル, 3.5 A、4.5 A, 表面実装, 8 ピン, FDS4559-F085

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RS品番:
864-8647
メーカー型番:
FDS4559-F085
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N, P

最大連続ドレイン電流

3.5 A、4.5 A

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

パッケージタイプ

SOIC

シリーズ

PowerTrench

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

94 mΩ, 190 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

1V

最大パワー消費

2 W

トランジスタ構成

絶縁型

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

トランジスタ素材

Si

3.9mm

1チップ当たりのエレメント数

2

動作温度 Max

+150 °C

長さ

4.9mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

12.5 nC @ 10 V、15 nC @ 10 V

高さ

1.575mm

動作温度 Min

-55 °C

PowerTrench®デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。
最新のPowerTrench® MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。


MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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