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MOSFET・モスフェット
IXYS Nチャンネル MOSFET40 V 600 A 表面実装 パッケージSMPD 24 ピン
RS品番:
875-2475P
メーカー型番:
MMIX1T600N04T2
メーカー/ブランド名:
IXYS
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5 - 9
¥5,110.00
10 - 12
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13 - 15
¥4,180.00
16 +
¥3,830.00
梱包形態
個包装
プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
875-2475P
メーカー型番:
MMIX1T600N04T2
メーカー/ブランド名:
IXYS
データシート
その他
詳細情報
仕様
MMIX1T600N04T2, TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel 40V 600A SMPD
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
IXYS HiperFET™ GigaMOS™シリーズ NチャンネルパワーMOSFET
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
600 A
最大ドレイン-ソース間電圧
40 V
パッケージタイプ
SMPD
シリーズ
GigaMOS, HiperFET
実装タイプ
表面実装
ピン数
24
最大ドレイン-ソース間抵抗
1.3 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
3.5V
最大パワー消費
830 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs
590 nC @ 10 V
長さ
25.25mm
動作温度 Max
+175 °C
1チップ当たりのエレメント数
1
幅
23.25mm
トランジスタ素材
Si
高さ
5.7mm
順方向ダイオード電圧
1.2V
動作温度 Min
-55 °C