Texas Instruments Nチャンネル MOSFET100 V 272 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

RS品番:: 900-9857
メーカー型番:: CSD19536KTTT
メーカー/ブランド名:: Texas Instruments

Texas Instruments Nチャンネル MOSFET100 V 272 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

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2 - 19	￥1,023.00
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30 - 39	￥724.00
40 +	￥700.00

RS品番:: 900-9857
メーカー型番:: CSD19536KTTT
メーカー/ブランド名:: Texas Instruments

データシート

ESD Control Selection Guide V1

その他

詳細情報

NチャンネルNexFET™パワーMOSFET、Texas Instruments

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

MOSFETトランジスタ、Texas Instruments

仕様

特性
チャンネルタイプ	N
最大連続ドレイン電流	272 A
最大ドレイン-ソース間電圧	100 V
パッケージタイプ	D2PAK (TO-263)
シリーズ	NexFET
実装タイプ	表面実装
ピン数	3
最大ドレイン-ソース間抵抗	2.8 mΩ
チャンネルモード	エンハンスメント型
最大パワー消費	375 W
トランジスタ構成	シングル
最大ゲート-ソース間電圧	-20 V, +20 V
長さ	10.67mm
標準ゲートチャージ @ Vgs	118 nC @ 0 V
幅	9.65mm
動作温度 Max	+175 °C
1チップ当たりのエレメント数	1
トランジスタ素材	Si
順方向ダイオード電圧	1.1V
高さ	4.83mm
動作温度 Min	-55 °C

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