Texas Instruments MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 272 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, CSD19536KTTT

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梱包形態
RS品番:
900-9857
メーカー型番:
CSD19536KTTT
メーカー/ブランド名:
Texas Instruments
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ブランド

Texas Instruments

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

272A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

NexFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

375W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

118nC

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.67mm

幅

9.65 mm

高さ

4.83mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

NチャンネルNexFET™パワーMOSFET、Texas Instruments


MOSFETトランジスタ、Texas Instruments


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