onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 50 V, 210 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-70, BSS138W
- RS品番:
- 903-4112
- メーカー型番:
- BSS138W
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋100個入り) 小計：*
￥1,257.00
(税抜)
￥1,383.00
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 15,900 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 100 - 600 | ￥12.57 | ￥1,257 |
| 700 - 1300 | ￥11.69 | ￥1,169 |
| 1400 - 1800 | ￥10.78 | ￥1,078 |
| 1900 - 2400 | ￥9.85 | ￥985 |
| 2500 + | ￥8.95 | ￥895 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 903-4112
- メーカー型番:
- BSS138W
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 210mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 50V | |
| パッケージ型式 | SC-70 | |
| シリーズ | BSS138W | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 340mW | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 2mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 幅 | 1.25 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-44-720 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 210mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 50V | ||
パッケージ型式 SC-70 | ||
シリーズ BSS138W | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1.1nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 340mW | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 2mm | ||
高さ 0.9mm | ||
幅 1.25 mm | ||
Distrelec Product Id 304-44-720 | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET
強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。