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MOSFET・モスフェット
Microchip Nチャンネル MOSFET250 V 1.1 A 表面実装 パッケージDFN 8 ピン
RS品番:
916-3725P
メーカー型番:
DN2625DK6-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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150 - 1495
¥500.00
1500 - 1995
¥461.20
2000 - 2495
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2500 +
¥383.20
梱包形態
個包装
プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
916-3725P
メーカー型番:
DN2625DK6-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
データシート
その他
詳細情報
仕様
DN2625DK6-G Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
DN2625 NチャンネルMOSFETトランジスタ
Microchip DN2625は、先進的な垂直型DMOS構造を採用した低しきい値デプレッションモード(通常オン)MOSFETトランジスタです。この製品の設計では、バイポーラトランジスタの対応電力容量、MOSデバイスの高入力インピーダンスと正の温度係数を兼ね備えています。
特長
低ゲートしきい値電圧
ソース駆動型設計
低スイッチング損失
低実効出力静電容量
誘導負荷向けに設計
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Microchip
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
1.1 A
最大ドレイン-ソース間電圧
250 V
パッケージタイプ
DFN
実装タイプ
表面実装
ピン数
8
最大ドレイン-ソース間抵抗
3.5 Ω
チャンネルモード
デプレッション型
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
1チップ当たりのエレメント数
1
長さ
5.1mm
動作温度 Max
+150 °C
標準ゲートチャージ @ Vgs
7.04 nC @ 1.5 V
トランジスタ素材
Si
幅
5.1mm
高さ
0.85mm
動作温度 Min
-55 °C
順方向ダイオード電圧
1.8V