Microchip Nチャンネル MOSFET250 V 1.1 A 表面実装 パッケージDFN 8 ピン
- RS品番:
- 916-3725P
- メーカー型番:
- DN2625DK6-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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| 個 | 単価 |
| 150 - 1495 | ￥500.00 |
| 1500 - 1995 | ￥461.20 |
| 2000 - 2495 | ￥422.00 |
| 2500 + | ￥383.20 |
- RS品番:
- 916-3725P
- メーカー型番:
- DN2625DK6-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
その他
詳細情報
DN2625 NチャンネルMOSFETトランジスタ
Microchip DN2625は、先進的な垂直型DMOS構造を採用した低しきい値デプレッションモード（通常オン）MOSFETトランジスタです。この製品の設計では、バイポーラトランジスタの対応電力容量、MOSデバイスの高入力インピーダンスと正の温度係数を兼ね備えています。
特長
低ゲートしきい値電圧
ソース駆動型設計
低スイッチング損失
低実効出力静電容量
誘導負荷向けに設計
ソース駆動型設計
低スイッチング損失
低実効出力静電容量
誘導負荷向けに設計
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Microchip
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 1.1 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 250 V |
| パッケージタイプ | DFN |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 3.5 Ω |
| チャンネルモード | デプレッション型 |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 5.1mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 7.04 nC @ 1.5 V |
| 長さ | 5.1mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 0.85mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.8V |