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MOSFET・モスフェット
Wolfspeed Nチャンネル MOSFET1200 V 29 A スクリュー マウント パッケージモジュール 28 ピン
RS品番:
916-3888
メーカー型番:
CCS020M12CM2
メーカー/ブランド名:
Wolfspeed
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取扱終了
RS品番:
916-3888
メーカー型番:
CCS020M12CM2
メーカー/ブランド名:
Wolfspeed
データシート
その他
詳細情報
仕様
CCS020M12CM2 1.2kV 80mR SiC Six-Pack (3-phase) Module
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュール
Cree Inc.の電源部門であるWolfspeedのシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、業界標準のパッケージに収納され、ハーフブリッジ(2 MOSFET)と3相(6 MOSFET)形式で利用可能で、SiCショットキーダイオードも付属しています。誘導加熱、太陽光/風力インバータ、DC-DCコンバータ、三相PFC、ライン回生ドライブ、UPSとSMPS、モータドライブ、バッテリ充電器などの用途に適しています。
MOSFETのターンオフ時のテール電流とダイオード逆回復電流は、実質的にゼロです。
超低損失高周波動作
SiC特性により並列接続が簡単
常時オフ、フェールセーフ動作
銅製ベースプレートと窒化アルミ絶縁体により熱要件を低減
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Wolfspeed
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
29 A
最大ドレイン-ソース間電圧
1200 V
パッケージタイプ
モジュール
実装タイプ
スクリュー マウント
ピン数
28
最大ドレイン-ソース間抵抗
208 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
2.2V
最低ゲートしきい値電圧
1.7V
最大パワー消費
167 W
トランジスタ構成
3相
最大ゲート-ソース間電圧
-10 V、+25 V
幅
47mm
1チップ当たりのエレメント数
6
標準ゲートチャージ @ Vgs
61.5 nC @ 20 V、61.5 nC @ 5 V
トランジスタ素材
SiC
長さ
108mm
動作温度 Max
+150 °C
動作温度 Min
-40 °C
高さ
17mm
順方向ダイオード電圧
2.3V