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MOSFET・モスフェット
IXYS Nチャンネル MOSFET650 V 22 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
RS品番:
917-1451P
メーカー型番:
IXFA22N65X2
メーカー/ブランド名:
IXYS
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プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
917-1451P
メーカー型番:
IXFA22N65X2
メーカー/ブランド名:
IXYS
データシート
その他
詳細情報
仕様
N-ch X2-Class HiPerFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET™ X2シリーズ
IXYS X2クラスHiPerFETパワーMOSFETシリーズは、以前の世代のパワーMOSFETと比べると、抵抗とゲート電荷量を大幅に抑えているので、損失量が低下し、操作効率が向上します。 これらの頑丈なデバイスは強化された高速真性ダイオードを実装しており、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。
超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
高速真性整流器
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
22 A
最大ドレイン-ソース間電圧
650 V
シリーズ
HiperFET, X2-Class
パッケージタイプ
D2PAK (TO-263)
実装タイプ
表面実装
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
145 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
5V
最低ゲートしきい値電圧
2.7V
最大パワー消費
390 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-30 V, +30 V
動作温度 Max
+150 °C
長さ
10.41mm
1チップ当たりのエレメント数
1
標準ゲートチャージ @ Vgs
37 nC @ 10 V
トランジスタ素材
Si
幅
11.05mm
順方向ダイオード電圧
1.4V
動作温度 Min
-55 °C
高さ
4.83mm