IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 4 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IXTP8N65X2M
- RS品番:
- 917-1491
- メーカー型番:
- IXTP8N65X2M
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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|---|---|---|
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| 125 - 1245 | ￥451.80 | ￥2,259 |
| 1250 - 2495 | ￥418.40 | ￥2,092 |
| 2500 - 4995 | ￥382.20 | ￥1,911 |
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- RS品番:
- 917-1491
- メーカー型番:
- IXTP8N65X2M
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | X2-Class | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 550mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最大許容損失Pd | 32W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 16.07 mm | |
| 長さ | 10.36mm | |
| 高さ | 4.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ X2-Class | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 550mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
最大許容損失Pd 32W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 16.07 mm | ||
長さ 10.36mm | ||
高さ 4.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ
IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。 これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。
超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
真性整流ダイオード
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品