IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 4 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IXTP8N65X2M

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梱包形態
RS品番:
917-1491
メーカー型番:
IXTP8N65X2M
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

X2-Class

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

550mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

最大許容損失Pd

32W

順方向電圧 Vf

1.4V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

10.36mm

高さ

4.9mm

幅

16.07 mm

自動車規格

なし

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ


IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。 これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。

超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)

真性整流ダイオード

低真性ゲート抵抗

低パッケージインダクタンス

産業用の標準パッケージ

MOSFETトランジスタ、IXYS


IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品

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