onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 48 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, FDMS3572

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梱包形態
RS品番:
917-5469
メーカー型番:
FDMS3572
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

48A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

WDFN

シリーズ

UltraFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

29mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

78W

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

28nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

高さ

0.75mm

長さ

5mm

規格 / 承認

No

幅

6 mm

自動車規格

なし

UltraFET® MOSFET、Fairchild Semiconductor


UItraFET® Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。

用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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