STマイクロ, 評価ボード, 開発ボード, IGBT, MOSFETドライバ, L638xE及びL639x高電圧ゲートドライバ 用, EVALSTDRV600HB8

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RS品番:
165-3193
メーカー型番:
EVALSTDRV600HB8
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

電源管理機能

IGBT, MOSFETドライバ

併用可能製品

L638xE及びL639x高電圧ゲートドライバ

キットの分類

開発ボード

対象機器

EVALSTDRV600HB8

キット名

Demonstration Board

STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 デモンストレーションボード


STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 デモボードキットは、 L638xE 及び L639x シリーズの高電圧互換ゲートドライバ用に開発されています。また、ゲートドライバのすべての機能を評価しながら、 N チャンネル MOSFET 又は IGBT に基づくハーフブリッジ電力ステージを複数のパッケージで駆動し、最大 600 V の定格電圧で実行できます。フィルタリングやブートストラップコンデンサなどの重要なコンポーネントは、基板にすでに実装されています。 受動部品のフットプリントは、 SMT と T の両方に対応しますH. コンポーネント。これにより、迅速かつ簡単な設定と変更が可能になります。このデモンストレーションボードキットは、 L638xE 及び L639x 高電圧ゲートに使用されています。

特長と利点


•非対称ハーフブリッジおよびスイッチドリラクタンスモータの駆動 Ability
•シングル入力ゲート駆動の場合、アクティブハイまたはアクティブロー LIN
•コンパクトでシンプルなレイアウト
• DPAK 、 D2PAK 、 TO-220 、 TO-220FP で MOSFET/IGBT と互換性があります
•専用のハイサイドおよびローサイド駆動入力
•キットのゲートドライバは、さまざまな機能と特性を備えています
•ハーフブリッジ構成
•最大 600 V の高電圧レール
•内蔵ブートストラップダイオード
•クロスコンダクション保護のためのインターロック
•内部のデッドタイムまたはデッドタイムなし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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