Transcend RAM 4 GB, DDR3L, TS512MSK64W8H 1866 Mbit/s SODIMM 1.35V

このRAMモジュールは、コンパクトなコンピューティングプラットフォーム向けに設計された低電圧メモリアップグレードで、プロフェッショナル機器のマルチタスクとデータ処理を向上させるための追加システム作業メモリを提供します。小型フォームファクタのラップトップメモリソケットに挿入するように設計されており、技術ワークフローにおける過渡データストレージとアプリケーションの応答性を向上させます。

• 4 GBの容量により、利用可能なシステム作業メモリを拡大 • DDR3Lアーキテクチャにより、動作中の消費電力を削減 • 1866 Mbit/sの転送速度により、高速データスループットをサポート • CAS13レイテンシーにより、予測可能なアクセスタイミングと速度のバランスを保つ • 1.35 Vの供給電圧により、システムボードの熱負荷を低減 • 204ピンSODIMMフォームファクタは、一般的なラップトップのメモリスロットに適合

• オートメーション設備で使用されるフィールド測定ラップトップに最適 • 現場でCADシミュレーションを実行するエンジニアリングワークステーションに最適 • 電気診断環境でポータブルテストリグと併用 • 機械状態監視のデータロギングシステムに使用可能

小型ラップトップやコンパクトワークステーションマザーボードで一般的に見られる204ピンSODIMMソケットに適合します。

1.35 Vで動作することで、高電圧の代替品に比べてモジュール電流を低減し、密集したエンクロージャでの全体的な消費電力と発熱を低減します。

CAS13のカラムアクセスストロボ遅延値は、読み取り動作の平均アクセス遅延を決定し、ランダムアクセス負荷下でのアプリケーションの応答性に影響します。

制限物質に関するRoHS要件に適合し、電子アセンブリの環境物質制限に適合します。