Integral Memory RAM (ランダムアクセスメモリ), 2 GB, 1600MHz, DDR3, IN3T2GNABKX
- RS品番:
- 180-5900
- メーカー型番:
- IN3T2GNABKX
- メーカー/ブランド名:
- Integral Memory
取扱終了
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- RS品番:
- 180-5900
- メーカー型番:
- IN3T2GNABKX
- メーカー/ブランド名:
- Integral Memory
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Integral Memory | |
| デスクトップ/ラップトップ | Desktop | |
| 容量 | 2 GB | |
| スピード | 1600MHz | |
| メモリクラス | DDR3 | |
| メモリソケット | DIMM | |
| モジュールタイプ | PC3-12800 | |
| ピン | 240 | |
| 電圧 | 1.5V | |
| CASレイテンシ | 11 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Integral Memory | ||
デスクトップ/ラップトップ Desktop | ||
容量 2 GB | ||
スピード 1600MHz | ||
メモリクラス DDR3 | ||
メモリソケット DIMM | ||
モジュールタイプ PC3-12800 | ||
ピン 240 | ||
電圧 1.5V | ||
CASレイテンシ 11 | ||
- COO(原産国):
- TW
内蔵メモリ DDR3 RAM
Integral Memory DDR3 は、 DIMM メモリソケットを搭載した 2 GB RAM です。メモリのアップグレードは、パフォーマンスを向上させる最もコスト効率の高い方法の 1 つです。また、オペレーティングシステムとアプリケーションの動作を Fasterこのメモリモジュールは、高品質コンポーネントで構築されており、信頼性と互換性を確保するために完全にテストされています。外部からの損傷を防ぐため、帯電防止パッケージで提供されます。
特長と利点
• 256M ビットの深さ
• CAS 遅延 11
•バッテリー持続時間を延長
•ピン数 240
•速度 1600MHz
•必要な電圧は 1.5 V です
• CAS 遅延 11
•バッテリー持続時間を延長
•ピン数 240
•速度 1600MHz
•必要な電圧は 1.5 V です
用途
•デスクトップ
• ゲーム
•画像編集
• ゲーム
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