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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	最大負荷電流	50 mA dc
	取り付け方法	基板実装
	最大負荷電圧	300V ac/dc
	最大電圧制御	300V ac/dc
	最小電圧制御	0V ac/dc
	スイッチングタイプ	アナログ
	電圧制御範囲	0 → 300 V ac/dc
	極数	1
	接点構成	SPST
	ターミナルタイプ	基板ピン
	出力装置	MOSFET
	パッケージスタイル	DIP
	リレータイプ	太陽光発電
	定格電圧範囲	最大300V ac/dc
	最大ターンオン時間	0.06ms
	寸法	9.39 x 6.47 x 3.93mm
	動作温度 Min	-40°C
	動作温度範囲	-40 → +85°C
	漏れ電流	0.05nA
	奥行き	6.5mm
	長さ	9.4mm
	高さ	3.9mm
	静電容量	2.2pF
	基準適合	UL
	特殊機能	10¹¹オフ抵抗、5 mAの入力感度、バウンスのない動作、ソリッドステートの信頼性

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	最大負荷電流 50 mA dc
	取り付け方法基板実装
	最大負荷電圧 300V ac/dc
	最大電圧制御 300V ac/dc
	最小電圧制御 0V ac/dc
	スイッチングタイプアナログ
	電圧制御範囲 0 → 300 V ac/dc
	極数 1
	接点構成 SPST
	ターミナルタイプ基板ピン
	出力装置 MOSFET
	パッケージスタイル DIP
	リレータイプ太陽光発電
	定格電圧範囲最大300V ac/dc
	最大ターンオン時間 0.06ms
	寸法 9.39 x 6.47 x 3.93mm
	動作温度 Min -40°C
	動作温度範囲 -40 → +85°C
	漏れ電流 0.05nA
	奥行き 6.5mm
	長さ 9.4mm
	高さ 3.9mm
	静電容量 2.2pF
	基準適合 UL
	特殊機能 10¹¹オフ抵抗、5 mAの入力感度、バウンスのない動作、ソリッドステートの信頼性

電気機械式リレーの交換により、DCとACの負荷の切り替えが可能
バウンスのない動作
HEXFET®パワーMOSFET出力スイッチ
4 kV I/O絶縁

オプトカプラ、International Rectifier

インフィニオンソリッドステートリレー, 50 mA dc, 300V ac/dc, 基板実装

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