ソリッドステートリレー(MOSFET出力及びフォトLED入力)
機械式とソリッドステート技術の利点を統合
低オン抵抗及び出力静電容量
長寿命
多彩なモデル
ラインシージング、スイッチング、ホックスイッチング、ライントランス制御、他の電話機能などの通信ソリューションに最適
G3VM-62C1 MOSFETリレーには、メンテナンスフリーリレーに必要なさまざまなメリットがあります。SPST-NO (常時開)、8ピンPCB付きパッケージリレー。このシリーズのリレーは、微小信号とアナログ信号の切り替え用に設計されています。
MOS FETソリッドステートリレー
スリムな2.1 mmハイリレー
表面実装リレー端子
DIP8 (デュアルインライン)
コンタクトフォームDPST-NO 2a (常時開)
電流制限: 100 → 300 mA
スルーホールリレー
基板端子
リレー端子 x 8
負荷電圧: 60 V
負荷電流: 最大500 mA
出力オン時の最大抵抗: 1 Ω
リレーが開いているときの最大電流リーク: 1000 nA
端子間静電容量: 130 pF
SSR - ターンオン時間: 最大 2 ms
SSR - ターンオフ時間: 最大0.5 ms
I/O 2500 Vrms間の絶縁耐性
2チャンネル
微小 / アナログ信号を切り替え
低オン抵抗
RoHS対応
長寿命
低漏洩電流
優れた耐衝撃性を備えたSSR
高い絶縁性
静音動作
高速スイッチング
マイクロアナログ信号を制御
フォトLED入力
状態出力
コンパクト
動作周囲温度: -20 → +65 °C (氷結及び結露しないこと)
計測器
セキュリティ機器
特性 | |
---|---|
最小負荷電流 | 500 mA |
最大負荷電流 | 0.5 A |
シリーズ | G3VM |
取り付けタイプ | 基板実装 |
最小負荷電圧 | 0 V ac |
最大負荷電圧 | 60 V ac |
最大電圧制御 | 1.3 V |
スイッチングタイプ | DC |
接点構成 | DPNO |
ターミナルタイプ | 基板ピン |
出力装置 | MOSFET |
パッケージスタイル | PDIP |
寸法 | 9.66 x 6.4 x 3.65mm |
漏れ電流 | 50 mA |
動作温度 Min | -40°C |
定格電圧範囲 | 0 → 60V ac |
動作温度範囲 | -40 → +85°C |
電圧制御範囲 | 最大1.3 V |
長さ | 9.66 |
高さ | 3.65mm |
奥行き | 6.4mm |
動作温度 Max | +85°C |