• RS品番 380-450
  • メーカー/ブランド名 Renesas Electronics
  • メーカー 型番 R1LV0408DSA-5SI
Renesas Electronics
ルネサス 4Mbit SRAM メモリ, 512 Kワード x 8ビット, 2.7 → 3.6 V, 32-Pin 3.6 V
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詳細情報

低消費電力SRAM、R1LVシリーズ、ルネサスエレクトロニクス

R1LVシリーズのアドバンスド低消費電力SRAMは、シンプルなインターフェイス、バッテリ駆動、及びバッテリバックアップが重要な設計目標となっているメモリ用途に適しています。

2.7 → 3.6 Vシングル電源
低スタンバイ電流
クロックなし、リフレッシュ不要
入力 / 出力はすべてTTL対応
スリーステート出力: OR結合対応

SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)

仕様
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メモリサイズ4Mbit
構成512 Kワード x 8ビット
ワード数512K
1ワード当たりのビット数8bit
最大ランダムアクセス時間55ns
アドレスバス幅19bit
ローパワーY
タイミングタイプ非シンクロナス
実装タイプ表面実装
パッケージタイプTSOP
ピン数32
寸法8 x 11.8 x 1mm
高さ1mm
長さ8mm
最大動作供給電圧3.6 V
最小動作温度-40 °C
11.8mm
最小動作供給電圧2.7 V
最大動作温度+85 °C
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梱包形態
梱包形態とは
<標準梱包>          単体もしくは購入単位ごとに梱包される形態          <プロダクションパッケージ>  リール・スティック・トレイ・袋などに梱包される形態
データシート
RoHSステータス: 該当なし
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