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半導体
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メモリチップ・不揮発性メモリ・揮発性メモリ
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SRAM・スタティックRAM・エスラム
ルネサス, SRAM 16Mbit, 1 Mワード x 16ビット、2 Mワード x 8ビット, 48-Pin R1LV1616RSA-7SR
RS品番:
242-403
メーカー型番:
R1LV1616RSA-7SR
メーカー/ブランド名:
Renesas Electronics
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取扱終了
RS品番:
242-403
メーカー型番:
R1LV1616RSA-7SR
メーカー/ブランド名:
Renesas Electronics
データシート
その他
詳細情報
仕様
SRAM,Low Pow,16Mb,1Mx16/2Mx8,TSOP48
R1LV1616R Series_J
RoHSステータス: 該当なし
COO(原産国):
JP
ルネサスエレクトロニクス 低電力SRAM R1LVシリーズ
R1LVシリーズの低消費電力スタティックRAMは、シンプルなインターフェイス、バッテリ駆動、バッテリバックアップを行うためのメモリ用途に適しています。
2.7 V→3.6 V単一電源
低スタンバイ電流
外部クロックとリフレッシュ操作不要
入出力ともTTL直結可能
3ステート出力:OR接続機能
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)
特性
メモリサイズ
16Mbit
構成
1 Mワード x 16ビット、2 Mワード x 8ビット
ワード数
1M
1ワード当たりのビット数
16bit
最大ランダムアクセス時間
70ns
アドレスバス幅
20bit
ローパワー
あり
タイミングタイプ
非シンクロナス
実装タイプ
表面実装
パッケージタイプ
TSOP
ピン数
48
寸法
12 x 18.4 x 1mm
動作供給電圧 Max
3.6 V
高さ
1mm
幅
18.4mm
長さ
12mm
動作温度 Max
+70 °C
動作供給電圧 Min
2.7 V
動作温度 Min
0 °C