ルネサス, SRAM 4Mbit, 512 Kワード x 8ビット, 32-Pin RMLV0408EGSA-4S2#AA1
- RS品番:
- 126-6975
- メーカー型番:
- RMLV0408EGSA-4S2#AA1
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
取扱終了
- RS品番:
- 126-6975
- メーカー型番:
- RMLV0408EGSA-4S2#AA1
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
その他
詳細情報
低電力SRAM、RMWVシリーズ、ルネサスエレクトロニクス
高性能で Advanced な SRAM の RMLV シリーズは、高密度、低消費電流を実現し、低電力スタンバイ消費を実現しています。
2.7 → 3.6 V シングル電源
アクセス時間： 45 ns （最大）
アクセス時間とサイクル時間が同じ
3 ステート出力の一般的なデータ入出力
すべての入出力は TTL 互換です
バッテリバックアップ動作に適しています
アクセス時間： 45 ns （最大）
アクセス時間とサイクル時間が同じ
3 ステート出力の一般的なデータ入出力
すべての入出力は TTL 互換です
バッテリバックアップ動作に適しています
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)
仕様
特性 | |
|---|---|
| メモリサイズ | 4Mbit |
| 構成 | 512 Kワード x 8ビット |
| ワード数 | 512K |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit |
| 最大ランダムアクセス時間 | 45ns |
| アドレスバス幅 | 19bit |
| ローパワー | あり |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| パッケージタイプ | sTSOP |
| ピン数 | 32 |
| 寸法 | 11.9 x 8.1 x 1mm |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V |
| 高さ | 1mm |
| 幅 | 8.1mm |
| 動作温度 Min | -40 °C |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V |
| 動作温度 Max | +85 °C |
| 長さ | 11.9mm |