ルネサス, SRAM, 4Mbit, 256 Kワード x 16ビット, 45ns, 48-Pin
- RS品番:
- 126-6978
- メーカー型番:
- RMLV0416EGBG-4S2#AC0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
取扱終了
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- RS品番:
- 126-6978
- メーカー型番:
- RMLV0416EGBG-4S2#AC0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Renesas Electronics | |
| メモリサイズ | 4Mbit | |
| 構成 | 256 Kワード x 16ビット | |
| ワード数 | 256K | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 45ns | |
| アドレスバス幅 | 18bit | |
| ローパワー | あり | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | FBGA | |
| ピン数 | 48 | |
| 寸法 | 7.58 x 8.58 x 0.8mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 高さ | 0.8mm | |
| 幅 | 8.58mm | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| 長さ | 7.58mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Renesas Electronics | ||
メモリサイズ 4Mbit | ||
構成 256 Kワード x 16ビット | ||
ワード数 256K | ||
1ワード当たりのビット数 16bit | ||
最大ランダムアクセス時間 45ns | ||
アドレスバス幅 18bit | ||
ローパワー あり | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ FBGA | ||
ピン数 48 | ||
寸法 7.58 x 8.58 x 0.8mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
高さ 0.8mm | ||
幅 8.58mm | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
長さ 7.58mm | ||
低電力SRAM、RMWVシリーズ、ルネサスエレクトロニクス
高性能で Advanced な SRAM の RMLV シリーズは、高密度、低消費電流を実現し、低電力スタンバイ消費を実現しています。
2.7 → 3.6 V シングル電源
アクセス時間： 45 ns （最大）
アクセス時間とサイクル時間が同じ
3 ステート出力の一般的なデータ入出力
すべての入出力は TTL 互換です
バッテリバックアップ動作に適しています
アクセス時間： 45 ns （最大）
アクセス時間とサイクル時間が同じ
3 ステート出力の一般的なデータ入出力
すべての入出力は TTL 互換です
バッテリバックアップ動作に適しています
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)