ISSI, SRAM, 4Mbit, 512 K x 8 ビット, 10ns, 44-Pin

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RS品番:
170-2185
メーカー型番:
IS61WV5128BLL-10TLI
メーカー/ブランド名:
ISSI
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ブランド

ISSI

メモリサイズ

4Mbit

構成

512 K x 8 ビット

ワード数

512k

1ワード当たりのビット数

8bit

最大ランダムアクセス時間

10ns

アドレスバス幅

19bit

ローパワー

あり

タイミングタイプ

非シンクロナス

実装タイプ

表面実装

パッケージタイプ

TSOP

ピン数

44

寸法

18.54 x 10.29 x 1.05mm

高さ

1.05mm

動作供給電圧 Max

3.6 V

長さ

18.54mm

動作温度 Max

+85 °C

動作温度 Min

-40 °C

10.29mm

動作供給電圧 Min

2.4 V

COO(原産国):
CN

SRAM、ISSI


ISSIスタティックRAM製品は、高性能CMOSテクノロジーを使用しています。 5 V高速非同期SRAM、高期低電力非同期SRAM、5 V低電力タイプ非同期SRAM、超低電力CMOSスタティックRAM、PowerSaverTM低電力非同期SRAMなど、幅広いスタティックRAM製品を取り揃えています。ご用意しています。 ISSI SRAMデバイスは、さまざまな電圧、メモリサイズ、構成の製品を取り揃えています。 CPUキャッシュメモリ、組み込みプロセッサ、ハードドライブ、産業エレクトロニクス用スイッチなどさまざまな用途に適しています。

電源: 1.8 V / 3.3 V / 5 V
提供パッケージ: BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
選択可能な構成: x8及びx16
高速非同期SRAMの場合はECC機能も使用可能

備考

プロダクトパッケージ製品の内391-731P,391-725P,391-680P,391-729P,392-362P,391-719P,391-640P,391-630P,391-684P,391-703P,391-624P,391-707P,391-696P,391-628PにおいてDRAMの表記がありますがSRAMです。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)

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