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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Infineon
	メモリサイズ	1Mbit
	構成	128 k x 8ビット
	ワード数	128k
	1ワード当たりのビット数	8bit
	最大ランダムアクセス時間	10ns
	クロック周波数	100MHz
	タイミングタイプ	非シンクロナス
	実装タイプ	表面実装
	パッケージタイプ	SOJ
	ピン数	32
	寸法	0.83 x 0.405 x 0.11インチ
	高さ	2.79mm
	動作供給電圧 Max	5.5 V
	幅	10.29mm
	長さ	21.08mm
	動作温度 Max	+85 °C
	動作温度 Min	-40 °C
	動作供給電圧 Min	4.5 V

	すべて選択
	ブランド Infineon
	メモリサイズ 1Mbit
	構成 128 k x 8ビット
	ワード数 128k
	1ワード当たりのビット数 8bit
	最大ランダムアクセス時間 10ns
	クロック周波数 100MHz
	タイミングタイプ非シンクロナス
	実装タイプ表面実装
	パッケージタイプ SOJ
	ピン数 32
	寸法 0.83 x 0.405 x 0.11インチ
	高さ 2.79mm
	動作供給電圧 Max 5.5 V
	幅 10.29mm
	長さ 21.08mm
	動作温度 Max +85 °C
	動作温度 Min -40 °C
	動作供給電圧 Min 4.5 V

Datasheet CY7C109D-10VXI

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor

CY7C109B / CY7C1009B とピン及び機能の互換性があります
高速
TAA = 10 ns
低アクティブ電力
ICC = 80 mA @ 10 ns
低 CMOS スタンバイ電力
ISB2 = 3 mA
2.0 V Data
選択解除時に自動的に電源がオフになります
TTL互換の入出力
CE1 、 CE2 、 OE オプションを使用してメモリを簡単に拡張できます
CY7C109D は、鉛フリー 32 ピン 400-Mil ワイド成形 SOJ 及び 32 ピン TSOP I パッケージで提供されています。CY7C1009D は、鉛フリーの 32 ピン 300-Mil ワイド成形 SOJ パッケージで提供されています

SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)

Infineon, SRAM, 1Mbit, 128 k x 8ビット, 10ns, 32-Pin

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor