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半導体
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メモリチップ・不揮発性メモリ・揮発性メモリ
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SRAM・スタティックRAM・エスラム
Infineon, SRAM 4Mbit, 256 K x 16 ビット, 44-Pin CY621472E30LL-45ZSXI
RS品番:
193-8457
メーカー型番:
CY621472E30LL-45ZSXI
メーカー/ブランド名:
Infineon
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取扱終了
RS品番:
193-8457
メーカー型番:
CY621472E30LL-45ZSXI
メーカー/ブランド名:
Infineon
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet CY621472E30LL-45ZSXI
RoHSステータス: 適合
COO(原産国):
PH
超高速: 45 ns
使用温度範囲
産業用: -40 → +85 ° C
幅広い電圧範囲: 2.20 → 3.60 V
超低スタンバイ電力
標準スタンバイ電流: 1 A
最大スタンバイ電流: 7 A (産業用)
超低アクティブ電力
標準アクティブ電流: 2 mA @ f = 1 MHz
CE1 、 CE2 、 OE の各機能により、メモリを簡単に拡張できます
選択解除時に自動的に電源がオフになります
速度と電力を最適化する相補型金属酸化膜半導体( CMOS )です
鉛フリーの 44 ピン薄型小型アウトラインパッケージ( TSOP ) II パッケージで提供されています
バイトパワーダウン機能
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
特性
メモリサイズ
4Mbit
構成
256 K x 16 ビット
ワード数
256k
1ワード当たりのビット数
16bit
最大ランダムアクセス時間
45ns
アドレスバス幅
16bit
クロック周波数
1MHz
ローパワー
あり
タイミングタイプ
非シンクロナス
実装タイプ
表面実装
パッケージタイプ
TSOP II
ピン数
44
寸法
18.517 x 10.262 x 1.044mm
動作供給電圧 Max
3.6 V
高さ
1.04mm
動作温度 Min
-40 °C
長さ
18.52mm
動作温度 Max
+85 °C
動作供給電圧 Min
2.2 V
幅
10.26mm