Infineon, SRAM 1Mbit, 64 k x 16 ビット, 44-Pin CY7C1021DV33-10VXI

このデバイスには、自動パワーダウン機能があり、選択解除時に電力消費を大幅に削減します。デバイスへの書き込みは、チップイネーブル（ CE ）入力と書き込みイネーブル（ WE ）入力を LOW にすることによって実現されます。 Byte Low Enable (BLE) が LOW の場合、 I/O ピン (I/O0∼I/O7) からのデータは、アドレスピン (A0 ～ A15) で指定された位置に書き込まれます。Byte High Enable (BHE) が LOW の場合、 I/O ピン (I/O8 ～ I/O15) からのデータは、アドレスピン (A0 ～ A15) で指定された位置に書き込まれます。デバイスからの読み取りは、チップイネーブル（ CE ）と出力イネーブル（ OE ）を LOW にし、同時に書き込みイネーブル（ WE ）を HIGH にすることによって実現されます。 Byte Low Enable (BLE) が LOW の場合、アドレスピンで指定されたメモリ位置のデータが I/O0∼I/O7 に表示されます。Byte High Enable (BHE) が LOW の場合、メモリからのデータは I/O8 から I/O15 に表示されます。読み取り / 書き込みモードの詳細については、このデータシートの末尾にある真理値表を参照してください。

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