- RS品番:
- 215-5866
- メーカー型番:
- 47L64-I/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
在庫切れ
追加されました
単価: 購入単位は10個
¥166.70
(税抜)
¥183.37
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
10 - 10 | ¥166.70 | ¥1,667.00 |
20 + | ¥163.30 | ¥1,633.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 215-5866
- メーカー型番:
- 47L64-I/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
データシート
その他
詳細情報
Microchip EERAM は、停電時に内容を損失しない SRAM です。 各メモリセル内には、ユーザーに対して透過的な不揮発性トランジスタが内蔵されており、 SRAM の内容をキャプチャして電力損失イベントを通じて保持します。電源を復元すると、 SRAM は最後の内容でリロードされ、 SRAM の動作を続行できます。
8 、 192 x 8 ビットシリアル SRAM 、不揮発性データ内蔵 バックアップ
I2C インターフェイス:最大 3 MHz 、シュミットトリガ入力でノイズを抑制します
低電力 CMOS テクノロジー:アクティブ電流: 5 mA (最大)
I2C インターフェイス:最大 3 MHz 、シュミットトリガ入力でノイズを抑制します
低電力 CMOS テクノロジー:アクティブ電流: 5 mA (最大)
待機電流 :500 μ A ( 最大 )
ハイバネーション電流: 3 μ A ( 最大 )
セルベースの不揮発性バックアップは、 SRAM アレイセルをセル用にミラーリングし、すべてを転送します SRAM セルとの間で並列にデータ送受信を行います ( すべてのセルを同時に表示 )
不可視データ転送:デバイス内で VCC レベルを監視、電源中断時に SRAM を自動的に保存、 VCC 復帰時に SRAM を自動的に復元
100,000 個以上のバックアップ( 20 ° C )
保持期間: 100 年( @ 20 ° C )
セルベースの不揮発性バックアップは、 SRAM アレイセルをセル用にミラーリングし、すべてを転送します SRAM セルとの間で並列にデータ送受信を行います ( すべてのセルを同時に表示 )
不可視データ転送:デバイス内で VCC レベルを監視、電源中断時に SRAM を自動的に保存、 VCC 復帰時に SRAM を自動的に復元
100,000 個以上のバックアップ( 20 ° C )
保持期間: 100 年( @ 20 ° C )
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
メモリサイズ | 64kbit |
構成 | 8 k x 8ビット |
ワード数 | 8k |
1ワード当たりのビット数 | 8bit |
最大ランダムアクセス時間 | 550ns |
クロック周波数 | 1MHz |
ローパワー | あり |
タイミングタイプ | シンクロナス |
実装タイプ | 表面実装 |
パッケージタイプ | SOIC-8 |
ピン数 | 8 |
寸法 | 4.9 x 3.9 x 1.5mm |
高さ | 1.5mm |
動作供給電圧 Max | 3.6 V |
幅 | 3.9mm |
動作温度 Min | -40 °C |
長さ | 4.9mm |
動作温度 Max | +85 °C |
動作供給電圧 Min | 2.7 V |
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