マイクロチップ, SRAM, 64kbit, 8 k x 8ビット, 550ns, 8-Pin
- RS品番:
- 215-5866
- メーカー型番:
- 47L64-I/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
取扱終了
在庫限りでお取扱いは終了致します。
- RS品番:
- 215-5866
- メーカー型番:
- 47L64-I/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| メモリサイズ | 64kbit | |
| 構成 | 8 k x 8ビット | |
| ワード数 | 8k | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 550ns | |
| クロック周波数 | 1MHz | |
| ローパワー | あり | |
| タイミングタイプ | シンクロナス | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOIC-8 | |
| ピン数 | 8 | |
| 寸法 | 4.9 x 3.9 x 1.5mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 幅 | 3.9mm | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
メモリサイズ 64kbit | ||
構成 8 k x 8ビット | ||
ワード数 8k | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 550ns | ||
クロック周波数 1MHz | ||
ローパワー あり | ||
タイミングタイプ シンクロナス | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOIC-8 | ||
ピン数 8 | ||
寸法 4.9 x 3.9 x 1.5mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
高さ 1.5mm | ||
長さ 4.9mm | ||
幅 3.9mm | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
Microchip EERAM は、停電時に内容を損失しない SRAM です。 各メモリセル内には、ユーザーに対して透過的な不揮発性トランジスタが内蔵されており、 SRAM の内容をキャプチャして電力損失イベントを通じて保持します。電源を復元すると、 SRAM は最後の内容でリロードされ、 SRAM の動作を続行できます。
8 、 192 x 8 ビットシリアル SRAM 、不揮発性データ内蔵 バックアップ
I2C インターフェイス：最大 3 MHz 、シュミットトリガ入力でノイズを抑制します
低電力 CMOS テクノロジー：アクティブ電流： 5 mA （最大）
I2C インターフェイス：最大 3 MHz 、シュミットトリガ入力でノイズを抑制します
低電力 CMOS テクノロジー：アクティブ電流： 5 mA （最大）
待機電流 :500 μ A ( 最大 )
ハイバネーション電流： 3 μ A ( 最大 )
セルベースの不揮発性バックアップは、 SRAM アレイセルをセル用にミラーリングし、すべてを転送します SRAM セルとの間で並列にデータ送受信を行います ( すべてのセルを同時に表示 )
不可視データ転送：デバイス内で VCC レベルを監視、電源中断時に SRAM を自動的に保存、 VCC 復帰時に SRAM を自動的に復元
100,000 個以上のバックアップ（ 20 ° C ）
保持期間： 100 年（ @ 20 ° C ）
セルベースの不揮発性バックアップは、 SRAM アレイセルをセル用にミラーリングし、すべてを転送します SRAM セルとの間で並列にデータ送受信を行います ( すべてのセルを同時に表示 )
不可視データ転送：デバイス内で VCC レベルを監視、電源中断時に SRAM を自動的に保存、 VCC 復帰時に SRAM を自動的に復元
100,000 個以上のバックアップ（ 20 ° C ）
保持期間： 100 年（ @ 20 ° C ）
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。