ルネサス, SRAM 1MB, 128 K x 8 71024S12TYG

ルネサスエレクトロニクスCMOS静的RAM 6は、64 K x 16として整理された高速静的RAMです。高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端の技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。RAMの双方向入力 / 出力はすべてTTL互換で、単一の5 V電源から動作します。完全静的な非同期回路を使用し、動作にクロックやリフレッシュが不要です。

1つのチップセレクト及び1つの出力イネーブルピン
双方向データ入力及び出力、TTLに直接対応
チップディセレクトによる低消費電力
上下バイトイネーブルピン